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  1. Colibri
  2. Facultad de Ingeniería
  3. Instituto de Ingeniería Eléctrica
  4. Publicaciones académicas y científicas
Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: https://hdl.handle.net/20.500.12008/23859 Cómo citar
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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.authorAntúnez, Guillermo-
dc.contributor.authorSiniscalchi, Mariana-
dc.contributor.authorSilveira, Fernando-
dc.contributor.authorRossi, Conrado-
dc.date.accessioned2020-05-06T23:22:51Z-
dc.date.available2020-05-06T23:22:51Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationAntúnez, G., Siniscalchi, M., Silveira, F. y otros.Variability-aware design method for a constant inversion level bias current generator [Preprint]. Publicado en: IEEE Transactions on Circuits and Systems I : Regular Papers, Vol.66, Num.6, Jun. 2019. DOI: 10.1109/TCSI.2019.2897090es
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12008/23861-
dc.descriptionPublicado en IEEE Transactions on Circuits and Systems I : Regular Papers , Volume 66, Number 6, page 2027--2036- Jun. 2019es
dc.description.abstractA model for estimating the dispersion in the output of a MOS-only, constant inversion level, current reference is presented. Based on such model, a design method is introduced that allows to optimize how area is spent in order to minimize the dispersion for a given layout complexity. The model was successfully compared with the measurements of a current source fabricated on a 130-nm CMOS technology and with the simulations of six other designs. The fabricated, ultralow power, current source has an area of 0.032 mm 2 and produces 11.4 nA on average, while all eight measured devices were inside ±2.1% of the average.es
dc.format.extent10 p.es
dc.format.mimetypeapplication/pdfes
dc.language.isoenes
dc.rightsLas obras depositadas en el Repositorio se rigen por la Ordenanza de los Derechos de la Propiedad Intelectual de la Universidad de la República.(Res. Nº 91 de C.D.C. de 8/III/1994 – D.O. 7/IV/1994) y por la Ordenanza del Repositorio Abierto de la Universidad de la República (Res. Nº 16 de C.D.C. de 07/10/2014)es
dc.subjectDispersiones
dc.subjectSemiconductor device modelinges
dc.subjectGeneratorses
dc.subjectMOSFETes
dc.subjectDesign methodologyes
dc.subjectIntegrated circuit modelinges
dc.subjectCurrent referenceses
dc.subjectMOS transistorses
dc.subjectMismatches
dc.subjectACMes
dc.subjectTemperature effectses
dc.subjectConstant inversiones
dc.titleVariability-aware design method for a constant inversion level bias current generatores
dc.typePreprintes
dc.contributor.filiacionAntúnez Guillermo, Universidad de la República (Uruguay). Facultad de Ingeniería.-
dc.contributor.filiacionSiniscalchi Mariana, Universidad de la República (Uruguay). Facultad de Ingeniería.-
dc.contributor.filiacionSilveira Fernando, Universidad de la República (Uruguay). Facultad de Ingeniería.-
dc.contributor.filiacionRossi Conrado, Universidad de la República (Uruguay). Facultad de Ingeniería.-
dc.rights.licenceLicencia Creative Commons Atribución - No Comercial - Sin Derivadas (CC - By-NC-ND 4.0)es
udelar.academic.departmentElectrónica-
udelar.investigation.groupMicroelectrónica-
Aparece en las colecciones: Publicaciones académicas y científicas - Instituto de Ingeniería Eléctrica

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