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Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: https://hdl.handle.net/20.500.12008/21163 Cómo citar
Título: Diseño de bloques de RF de bajo consumo en inversión débil y moderada
Autor: Barboni, Leonardo
Fiorelli, Rafaella
Silveira, Fernando
Tipo: Preprint
Descriptores: ELECTRÓNICA
Fecha de publicación: 2005
Resumen: En este trabajo se analiza el diseño de bloques de circuitos CMOS de radiofrecuencia en la banda ISM de 910MHz, operando en las regiones de inversión débil o moderada de polarización del transistor MOS. Se presenta una herramienta de diseño de amplificadores que muestra la existencia de un diseño óptimo de mínimo consumo para una ganancia especificada y muestra además la viabilidad de operar en inversión moderada aun para frecuencias de 910MHz con tecnología de 0.35um. Con esta herramienta es posible comparar los compromisos de ganancia y consumo de distintas tecnologías en el espacio de diseño dado por el plano ID-gm/ID. Se presentarán las formulaciones, discusiones de límite de frecuencias para el cual el modelo del MOSFET utilizado (ACM) es válido y comparaciones con simulaciones utilizando BSIM3v3 [1]. Se mostrarán la comparación de tecnologías de 0.8um y 0.35um y la implementación en 0.35um de un amplificador de 2 dBm de potencia de salida, ganancia 40 V/V y un consumo total de 5.5 mA. Asimismo se mostrará el flujo de diseño y resultado para un VCO operando a 910MHz.
Descripción: Trabajo presentado en el 11o. Workshop Iberchip, Bahía, Brasil, 2005
Citación: Barboni, L, Fiorelli, R, Silveira, F. Diseño de bloques de RF de bajo consumo en inversión débil y moderada [Preprint] Publicado en 11o. Workshop Iberchip, Bahía, Brasil, 2005.
Licencia: Licencia Creative Commons Atribución – No Comercial – Sin Derivadas (CC - By-NC-ND)
Aparece en las colecciones: Publicaciones académicas y científicas - Instituto de Ingeniería Eléctrica

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