Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem:
https://hdl.handle.net/20.500.12008/21286
Cómo citar
| Título: | Consistent model for drain current mismatch in mosfets using the carrier number fluctuation theory |
| Autor: | Klimach, H Arnaud, Alfredo Schneider, M. C Galup Montoro, Carlos |
| Tipo: | Artículo |
| Palabras clave: | MOSFET, Analog design, Matching, Compact models |
| Descriptores: | ELECTRÓNICA |
| Fecha de publicación: | 2004 |
| Resumen: | This work presents an approach for accurate MOS transistor matching calculation. Our model, which is based on an accurate physics-based MOSFET model, allows the assessment of mismatch from process parameters and valid for any operating region. Experimental results taken on a test set of transistors implemented in a 1.2 /spl mu/m CMOS technology corroborate the theoretical development of this work. |
| Descripción: | Postprint |
| Editorial: | IEEE |
| Citación: | Klimach, H., Arnaud, A., Schneider, M. C., Galup Montoro, C. Consistent model for drain current mismatch in mosfets using the carrier number fluctuation theory [en línea] IEEE International Symposium on Circuits and Systems, Vancouver, Canada, 2004. doi : 10.1109/ISCAS.2004.1329471 |
| Licencia: | Licencia Creative Commons Atribución – No Comercial – Sin Derivadas (CC - By-NC-ND) |
| Aparece en las colecciones: | Publicaciones académicas y científicas - Instituto de Ingeniería Eléctrica |
Ficheros en este ítem:
| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | ||
|---|---|---|---|---|---|
| KASG04.pdf | 163,05 kB | Adobe PDF | Visualizar/Abrir |
Este ítem está sujeto a una licencia Creative Commons Licencia Creative Commons
