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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.authorKlimach, Hes
dc.contributor.authorArnaud, Alfredoes
dc.contributor.authorSchneider, M. Ces
dc.contributor.authorGalup Montoro, Carloses
dc.date.accessioned2019-07-03T16:36:21Z-
dc.date.available2019-07-03T16:36:21Z-
dc.date.issued2004es
dc.date.submitted20190703es
dc.identifier.citationKlimach, H., Arnaud, A., Schneider, M. C., Galup Montoro, C. Consistent model for drain current mismatch in mosfets using the carrier number fluctuation theory [en línea] IEEE International Symposium on Circuits and Systems, Vancouver, Canada, 2004. doi : 10.1109/ISCAS.2004.1329471es
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12008/21286-
dc.descriptionPostprintes
dc.description.abstractThis work presents an approach for accurate MOS transistor matching calculation. Our model, which is based on an accurate physics-based MOSFET model, allows the assessment of mismatch from process parameters and valid for any operating region. Experimental results taken on a test set of transistors implemented in a 1.2 /spl mu/m CMOS technology corroborate the theoretical development of this work.es
dc.languageenes
dc.publisherIEEEes
dc.rightsLas obras depositadas en el Repositorio se rigen por la Ordenanza de los Derechos de la Propiedad Intelectual de la Universidad De La República. (Res. Nº 91 de C.D.C. de 8/III/1994 – D.O. 7/IV/1994) y por la Ordenanza del Repositorio Abierto de la Universidad de la República (Res. Nº 16 de C.D.C. de 07/10/2014)es
dc.subjectMOSFETes
dc.subjectAnalog designes
dc.subjectMatchinges
dc.subjectCompact modelses
dc.subject.otherELECTRÓNICAes
dc.titleConsistent model for drain current mismatch in mosfets using the carrier number fluctuation theoryes
dc.typeArtículoes
dc.rights.licenceLicencia Creative Commons Atribución – No Comercial – Sin Derivadas (CC - By-NC-ND)es
Aparece en las colecciones: Publicaciones académicas y científicas - Instituto de Ingeniería Eléctrica

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