Título:
Consistent model for drain current mismatch in mosfets using the carrier number fluctuation theory
Otros títulos:
Coordinador:
Director:
Compilador:
Autor:
Klimach, H
Arnaud, Alfredo
Schneider, M. C
Galup Montoro, Carlos
Arnaud, Alfredo
Schneider, M. C
Galup Montoro, Carlos
Tutor:
Tipo de documento:
Artículo
Editor:
Palabras clave:
MOSFET
Analog design
Matching
Compact models
Analog design
Matching
Compact models
Descriptores:
ELECTRÓNICA
Año de publicación:
2004
Contenido:
Resumen:
This work presents an approach for accurate MOS transistor matching calculation. Our model, which is based on an accurate physics-based MOSFET model, allows the assessment of mismatch from process parameters and valid for any operating region. Experimental results taken on a test set of transistors implemented in a 1.2 /spl mu/m CMOS technology corroborate the theoretical development of this work.
Descripción:
Postprint
metadata.articulos.dc.description.uri:
Editorial:
IEEE
EN:
Financiadores:
Citación:
Klimach, H., Arnaud, A., Schneider, M. C., Galup Montoro, C. Consistent model for drain current mismatch in mosfets using the carrier number fluctuation theory [en línea] IEEE International Symposium on Circuits and Systems, Vancouver, Canada, 2004. doi : 10.1109/ISCAS.2004.1329471
Citación:
metadata.articulos.cc.license.name:
ISBN:
e-ISBN:
ISSN:
ISMN:
Otros identificadores:
Cobertura geográfica:
Cobertura temporal:
Departamento académico:
Electrónica
Grupo de investigación:
Microelectrónica
Licencia:
Licencia Creative Commons Atribución – No Comercial – Sin Derivadas (CC - By-NC-ND)
Colecciones:
| Ficheros | Descripción | Tamaño | Formato | ||
|---|---|---|---|---|---|
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