Perspectives of TFETs for low power analog Ics

Sensale Rodríguez, Berardi; Fu, Y; Barboni, Leonardo; Silveira, Fernando; Fay, P; Jena, D; Seabaugh, A; Xing, H. G

Metadato	Etiqueta	Valor	Idioma
dc.contributor.author	Autor	Sensale Rodríguez, Berardi	es
dc.contributor.author	Autor	Fu, Y	es
dc.contributor.author	Autor	Barboni, Leonardo	es
dc.contributor.author	Autor	Silveira, Fernando	es
dc.contributor.author	Autor	Fay, P	es
dc.contributor.author	Autor	Jena, D	es
dc.contributor.author	Autor	Seabaugh, A	es
dc.contributor.author	Autor	Xing, H. G	es
dc.date.accessioned	Fecha ingreso	2024-11-13T19:24:37Z	-
dc.date.available	Fecha disponible	2024-11-13T19:24:37Z	-
dc.date.issued	Año de publicación	2012	es
dc.date.submitted	Fecha de subida	20241113	es
dc.description	Descripción	Trabajo presentado al IEEE Subthreshold Microelectronics Conference (SubVT), 2012	es
dc.description.abstract	Resumen	In this paper we show that tunnel field effect transistors (TFETs) biased in the subthreshold region promise several advantages for low-power/high-frequency analog IC applications (e.g. GHz operation with sub-0.1 mW power consumption). Analytical and TCAD models for graphene nano-ribbon (GNR) and InAs/GaSb nanowire TFETs are employed, respectively, for the first time in subthreshold analog circuit examples using the g m /I d integrated circuit (IC) design technique. From comparison of these TFET technologies with traditional FETs it is observed that due to the higher currents per unit gate width at low voltage for TFETs, smaller, higher speed, and lower power analog circuits are enabled.	es
dc.identifier.citation	Citación	Senale Rodríguez, B. Fu, Y, Barboni, L y otros. "Perspectives of TFETs for low power analog ICs" Publicado en: Proceedings of the IEEE Subthreshold Microelectronics Conference (SubVT), Waltham, MA, USA, 9-10 oct., 2012, pp. 1-3, doi: 10.1109/SubVT.2012.6404307	es
dc.identifier.uri	URI	https://hdl.handle.net/20.500.12008/47004	-
dc.language	metadata.dc.language	en	es
dc.rights	Derechos	Las obras depositadas en el Repositorio se rigen por la Ordenanza de los Derechos de la Propiedad Intelectual de la Universidad De La República. (Res. Nº 91 de C.D.C. de 8/III/1994 – D.O. 7/IV/1994) y por la Ordenanza del Repositorio Abierto de la Universidad de la República (Res. Nº 16 de C.D.C. de 07/10/2014)	es
dc.rights.licence	Licencia	Licencia Creative Commons Atribución - No Comercial - Sin Derivadas (CC - By-NC-ND 4.0)	es
dc.subject	Palabras clave	TFET	es
dc.subject	Palabras clave	Low-power electronics	es
dc.subject	Palabras clave	Analog circuits	es
dc.subject	Palabras clave	Sub-threshold	es
dc.subject	Palabras clave	Design space exploration	es
dc.subject	Palabras clave	Graphene	es
dc.title	Título	Perspectives of TFETs for low power analog Ics	es
dc.type	Tipo de documento	Ponencia	es
udelar.academic.department	Departamento académico	Electrónica	es
udelar.investigation.group	Grupo de investigación	Microelectrónica	es

Colecciones:

Publicaciones académicas y científicas

Ficheros	Descripción	Tamaño	Formato
senale2012.pdf	—	625.32 KB	Adobe PDF

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